石墨舟和硅片哪個(gè)導(dǎo)電好

 

石墨舟導(dǎo)電性能明顯優(yōu)于硅片的導(dǎo)電性能，因此石墨舟和硅片在鍍膜過程中存在著明顯的競(jìng)爭(zhēng)，導(dǎo)致石墨舟與硅片接觸的區(qū)域沉積速率低，形成嚴(yán)重的色差，以致電池片外觀不良和電學(xué)性能較差，因而必須對(duì)石墨舟進(jìn)行氮化硅飽和處理，使石墨舟與硅片具有相近的導(dǎo)電性。

 

光伏膜涂層原理

 

一，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，等離子體是物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇，相互間的碰撞會(huì)導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離，物質(zhì)就會(huì)變成自由運(yùn)動(dòng)并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。

 

二，據(jù)測(cè)算，光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右，減反膜可以極高地提高電池片對(duì)太陽光的利用率，有助于提高光生電流密度，進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)薄膜中的氫對(duì)于電池片表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小了暗電流，提升了開路電壓，提高了光電轉(zhuǎn)換效率；在燒穿工藝中的高溫瞬時(shí)退火斷裂了一些Si-H、N-H鍵，游離出來的H進(jìn)一步加強(qiáng)了對(duì)電池的鈍化。由于光伏級(jí)硅材料中不可避免的含有大量的雜質(zhì)和缺陷，導(dǎo)致硅中少子壽命及擴(kuò)散長(zhǎng)度降低，從而導(dǎo)致電池的轉(zhuǎn)換效率下降，H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)，從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。

 

三、PECVD原理

 

PECVD 系統(tǒng)是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直接裝在鍍膜板中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用于存儲(chǔ)在硅片上的氮化硅。可以根據(jù)改變硅烷對(duì)氨氣的比率，來得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。

 

在真空、480攝氏度的環(huán)境溫度下，通過對(duì)石墨舟的導(dǎo)電，使硅片的表面鍍上一層SixNy。3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2